Intel und Micron: 3-bit-MLC-Flash noch dieses Jahr

Die beiden Partner haben die Entwicklung einer neuen Flash-Speicher-Generation mit 3 bit pro Zelle (MLC, multi level cell) angekündigt.

Die von Intel und Micron gemeinsam produzierte NAND-Flash-Technik wird zur Datenspeicherung in Digitalkameras, Consumergeräten und Massenspeichern wie USB-Sticks eingesetzt. Dabei konnte jetzt ein Druchbruch erzielt werden: Eine neue Technik mit einer 3-bit-Multi-Level-Zelle steht kurz davor, das Stadium der Serienproduktion zu erreichen. Bisherige Multi-Level-Zelle speicherten 2 bit pro Zelle, also vier Zustände. Die neuen 3-bit-MLC-Zellen können 2³, also acht Zustände stabil speichern.

Produziert werden diese neuen Zellen in 34-nm-Technik bei IM Flash Technologies (IMFT), dem NAND-Flash-Joint-Venture von Intel und Micron. Der erste Chip hat 32 Gbit und eine Größe von 126 mm². Gegenwärtig liefert Micron Samples der Chips aus und will die Serienproduktion noch im vierten Quartal 2009 aufnehmen.