NEC Electronics: Embedded-DRAM mit 55-nm-Geometrie

NEC Electronics hat die industrieweit erste CMOS-kompatible Embedded-DRAM-Technologie (eDRAM) mit 55-nm-Geometrie vorgestellt.

Der neue eDRAM-Prozess mit der Bezeichnung UX7LSeD ist als Ergänzung zur patentierten Metal-Insulator-Metal-(MIM2-)Technologie von NEC Electronics konzipiert. Diese erste von der Industrie angebotene Kombination aus Hafniumsilikat-Film und Nickel-Silizid sorgt bei dieser Prozesstechnologie für reduzierte Verlustleistungen und geringere Leckströme. Der neue Prozess ist für den High-Speed-Betrieb mit geringer Verlustleistung optimiert und bietet sich für SoC an, die in einer breiten Palette von Produkten zum Einsatz kommen – von mobilen Geräten bis hin zu Geräten des Digital-Consumer-Segments.