Toshiba Super-Junction-60-V-MOSFET für Schaltnetzteile

. Die 600-V-MOSFETS von Toshiba mit den Bezeichnungen TK31N60X, TK39N60X und TK62N60X bilden die mittlerweile vierte Generation der DTMOS-IV-Reihe
Die 600-V-MOSFETS von Toshiba mit den Bezeichnungen TK31N60X, TK39N60X und TK62N60X bilden die mittlerweile vierte Generation der DTMOS-IV-Reihe

Die schnell schaltenden Super-Junction-MOSFETs der DTMOS IV-H Serie von Toshiba zielen u.a. auf Anwendungen wie Schaltnetzteile für Server und Telekommunikations-Basisstationen.

Die 600-V-MOSFETS von Toshiba mit den Bezeichnungen TK31N60X, TK39N60X und TK62N60X bilden die mittlerweile vierte Generation der DTMOS-IV-Reihe und werden im Single-Epitaxie-Prozess gefertigt. Die MOSFET bieten ein schnelles Schalten bei niedrigem Durchlasswiderstand. Die parasitäre Kapazität zwischen Gate und Drain Ciss liegt typ. zwischen 3.000 und 6.500pF. Im Vergleich zu den herkömmlichen DTMOS-IV-MOSFETs verringert nun eine optimierte Gate-Struktur die Gate-Drain-Ladung Qg um 45 Prozent auf Werte zwischen typ. 65 und 135C. Der maximale RDS(on) bei einer UGS von 10V reicht von 88 bis 40mOhm. Der Drainstrom ID reicht von 30,8 bis 61,8A.

Geliefert werden die neuen Bausteine im Moment im TO-247-Gehäuse, demnächst folgen Gehäusevarianten wie 8 x 8 mm² DFN, TO-220 und TO-220SIS.