Strahlungsfeste Spannungsreferenzen Immun gegen SEE Latch-up

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Strahlungsfeste Elektronikbausteine sind müssen geschützt sein gegen ionisierende Strahlung und so genannte SEEs: Single Event Effects – das Versagen aufgrund von Einzelereignissen. Dazu zählen das Kippen einer Speicherzelle (upset), das Zünden eines parasitären Transistors (latch-up), kurzzeitige Änderung des Signalpegels, überhöhter Strom in einem MOSFET, Zerstörung des Dielektrikums eines Leistungs-MOSFETs etc.

Das Unternehmen Intersil erweitert sein Angebot an strahlungsfesten Spannungsreferenzen um die Bausteine »ISL71091SEH10«, »SEH20«, »SEH33« und »SEH40«. Diese erzeugen Ausgangsspannungen mit einer Genauigkeit von 1 mV, so dass sich die Variante SEH10 mit ihrer Ausgangsspannung von 2,048 V eine für den Aufbau von 11-bit-A/D-Umsetzern eignet, die Variante SEH40 bietet mit 4,096 V die LSB-Genauigkeit für einen 12-bit-Umsetzer. Die Spannungsreferenzen werden mit dem bipolaren SOI-PR40-Prozess von Intersil gefertigt, der die Immunität gegen den Latchup bei einem einmaligen Ereignis garantiert. Die Bausteine arbeiten mit Eingangsspannungen bis 30 V, die Genauigkeit der Ausgangsspannung bei ±0,15 %; diese sinkt bei ionisierender Strahlung (50 krad) auf ±0,25 %. Der Temperaturkoeffizient der Ausgangsspannung liegt bei 6 ppm/°C, die Betriebstemperatur im Bereich –55 bis +125 °C.

Die Bausteine sind im achtpoligen SMD-Gehäuse erhältlich. Zwei Evaluierungsboards stehen zur Verfügung: das ISL71091SEH12EV1Z für 1,25 V und das ISL71090SEH25EV1Z für 2,5 V.