P-Kanal-MOSFET Anreicherungs-Leistungs-MOSFET im SOT363-Gehäuse

Hy-Line hat einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOFET im SOT363-Gehäuse von APEC im Angebot.
Hy-Line hat einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOFET im SOT363-Gehäuse von APEC im Angebot.

Hy-Line hat einen P-Kanal-Anreicherungs-Leistungs-MOFET im SOT363-Gehäuse von APEC im Angebot. Der Baustein mit der Bezeichnung AP2325GEU6-HF-3 ist für Anwendungen wie kompakte Lastschalter geeignet.

Zu seinen Merkmalen zählen eine Drain-Source-Sperrspannung von -20V, einen maximalen spezifischen Einschaltwiderstand von 145mOhm sowie einen maximalen Dauer-Drain-Strom ID von 1,6A bei 25°C.

Ebenfalls von Advanced Power Electronics sind die N-Kanal-MOSFETs AP99T03GS-HF-3 für industrielle und kommerzielle Anwendungen im TO-263-Gehäuse. Für Niederspannungs-Applikationen wie DC/DC-Wandler oder Anwendungen mit wenig Leiterplattenplatz bietet der taiwanesische Hersteller die N-Kanal-MOSFETs unter der Bezeichnung AP99T03GS-GP-3 auch im TO-220-Gehäuse mit Durchgangsbohrungen an. Beide Varianten bieten eine Einschaltwiderstand von 2,5mOhm, eine Sperrspannung von 30V und einen Drainstrom von 120A. Die Bausteine sind Halogen-frei und RoHS-konform.