Transphorm 48-V(DC)-Stromversorgung mit 600-V-GaN-HEMTs

Ein Prototyp für eine 48-V(DC)-Offline-Stromversorgung mit 1 kW Leistung und einem Wirkungsgrad von 97,5 % stellt Transphorm vor. In dem Netzteil werden qualifizierten 600-V-GaN-HEMTs verbaut.

Auf der diesjährigen PCIM zeigte Transphorm einen Prototyp für eine 48-V(DC)-Offline-Stromversorgung mit 1 kW Leistung und einem Wirkungsgrad von 97,5 %. In dem Netzteil werden die nach JEDEC (JEDEC Solid State Technology Association) qualifizierten 600-V-GaN-HEMTs verbaut. Für das Galliumnitrid wurde als Trägermaterial Silizium verwendet. Der GaN-Transistor im TO-220-Gehäuse bietet einen spezifischen Einschaltwiderstand von 150 mΩ und eine Speicher-ladung Qrr von 54 nC; er kann bei hohen Frequenzen geschaltet werden. Für das Netzteil werden die GaN-HEMTs für -eine Gegentakt-Leistungsfaktorkorrekturstufe (PFC) mit 99 % Wirkungsgrad genutzt, die wiederum mit einem LLC-Wandler mit 97,5 % Wirkungsgrad kombiniert wird.
Ebenfalls vorgestellt wurden zahlreiche neue Generationen von Bausteinen der Leistungselektronik. So hat auch Rohm die zweite Generation seiner SiC-MOSFETs vorgestellt. Die Bausteine der Serie SCT2xx für eine maximale Sperrschichttemperatur von 175 °C werden in der Regel ohne integrierte SiC-Schottky-Diode im TO247-Gehäuse geliefert. Eine Ausnahme ist die Variante SCH2080KEC: Hier ist die Diode im Gehäuse inte-griert.