Für die nächste SiC-MOSFET-Generation 2W-DC/DC-Wandler von Recom

Hohe Schaltfrequenzen und -spannungen sowie hohe Ansprüche an die Isolation erschweren die Ansteuerung von SiC-MOSFETs. Recoms neue RxxP21503D-Serie von DC/DC-Wandlern hilft die Probleme zu bewältigen.

Die Ein- und Ausschaltspannungen für die Ansteuerung von SiC-MOSFETs unterscheiden sich grundlegend von denen anderer IGBT- oder MOSFET-Anwendungen. Die RxxP21503D-Serie bietet asymmetrische Ausgangsspannungen von +15 und -3V, die benötigt werden um die zweite Generation von SiC-MOSFETs effizient zu versorgen.

Normalerweise ist bei DC/DC-Wandlern eine Isolationshöhe von mindestens der doppelten Betriebsspannung ausreichend. SiC-Transistoren sorgen jedoch für zusätzlichen Stress der Isolation. Extreme Potentialunterschiede zwischen Steuerung und Leistungskreis können die Isolation mürbe machen und zu Fehlfunktionen führen. Daher sollte hier eine höhere Isolation gewählt werden. Recoms neue Serie bietet eine Isolation von 6,4 kV (DC).

Transformator im Topf

Intern kommt ein sogenannter Pot-Transformer zum Einsatz. Bei dieser Technik wird der Ringkern zusammen mit der Eingangswicklung in einem Topf vergossen. Die Ausgangswicklung wird anschließend über den Topf gewickelt. Dadurch sind Ein- und Ausgangswicklung physisch voneinander getrennt, der Wandler ist aber trotzdem klein genug um in ein SIP7-Gehäuse zu passen.

Die Wandler sind erhältlich mit Eingangsspannungen von 12 V, 15 V oder 24 V und weisen eine sehr niedrige parasitäre Kapazität (<10 pF) auf. Sie sind EN-60950-1 zertifiziert und entsprechen den RoHS2 und REACH Vorgaben.