1W-GaN-on-Si-LEDs Kostengünstige Alternative zu herkömmlichen LEDs

Toshiba hat einen Prozess entwickelt, mit dem GaN-LEDs auf 200-mm-Wafern hergestellt werden können.

Toshiba Electronics Europe bringt die zweite Generation von weißen 1-W-LEDs heraus, die im GaN-on-Si-Prozess gefertigt werden. Damit lassen sich die Saphir-Substrate durch günstigere Si-Substrate ersetzen und es kann die übliche Si-Fertigungstechnik genutzt werden.

Die zweite Generation der weißen »LETERAS«-LEDs der Serie »TL1F2« von Toshiba erreicht durch einen Steigerung der optischen Ausgangsleistung und die Optimierung des Gehäuses gegenüber der Vorgängerserie »TL1F1« eine höhere Lichtausbeute. Die LEDs der Serie »TL1F2« sind im Farbtemperaturbereich von 2.700 K bis 6.500 K mit einem CRI von 80 bzw. 70 erhältlich, die 1-W-Leuchtdioden erreichen je nach Farbtemperatur Lichtströme von 104 bis 135 lm.

Die neuen LED-Chips werden in das Standardgehäuse 6450 (Abmessungen 6,4 mm x 5 mm x 1,35 mm) eingebaut. Die Durchlassspannung beträgt bei dem typischen Betriebsstrom von 350 mA lediglich 2,85 V, der Betriebstemperaturbereich erstreckt sich von -40 bis +100 °C. Die Serienfertigung der TL1F2-Serie beginnt im November 2013.