Flash-Speicher Toshiba liefert 3D-Flash-ICs mit 512 Gbit aus

The next Generation mit höheren Speichergebäude und mehr Kapazität.
The next Generation mit höheren Speichergebäude und mehr Kapazität.

Mit drei bit pro Speicherzelle und in 64 Schichten gestapelt erreicht Toshiba mit seinen jetzt lieferbaren BiCS-Flash-Speicherbausteinen eine Kapazität von 512 Gbit. Die nächste Stufe 1 Tbit ist schon eingeplant.

Von 48 Schichten, die Toshiba in seinen bisher größten BiCS-Flash-Speicher-ICs mit 256 Gbit übereinander stapelte, hat Toshiba nun den Schritt auf 64 Schichten in der Serienproduktion umgesetzt. Damit erreichen die neuen Flash-Speicher-ICs eine Speicherkapazität von 64 Gbyte – was auf die Chipfläche bezogen einer um 65 Prozent höheren Speicherkapazität entspricht. Toshiba steigert mit dem höheren Stapel auch die Speicherkapazität pro Wafer und senkt folglich die Kosten pro bit. Die neuen Flash-Speicher-ICs sollen vorrangig in SSD-Laufwerken eingesetzt werden. Aktuell werden Musterstückzahlen ausgeliefert, hohe Stückzahlen will Toshiba dann im zweiten Halbjahr produzieren können.

1 Tbit Flash-Speicher-IC

Den nächsten Meilenstein, ein Flash-Speicher-IC mit auf 1 Tbit verdoppelter Speicherkapazität, hat Toshiba bereits in der Entwicklung. Muster des aus 16 übereinander gestapelten Chips hergestellten Flash-Speicher-ICs sollen schon im April 2017 vorgestellt werden.