Flash-Speicher Spansion produziert weltweit ersten 4-Gbit-NOR-Speicher

Der amerikanische Speicherhersteller Spansion hat den ersten 4-Gbit-NOR-Flash-Speicherbaustein überhaupt entwickelt. Muster des in einem 65-nm-Prozess gefertigten Chips werden noch im August erhältlich sein.

Die Speicherfamilie mit der Bezeichnung GL-S enthält derzeit Derivate von 128 Mbit bis 2 Gbit Speicherkapazität. Das neue Familienmitglied mit 4 Gbit Kapazität ist der erste NOR-Speicherchip überhaupt, der diese Kapazität auf einem Die unterbringt.

Die NOR-Flash-Speicher der Familie GL-S basieren auf Spansions prorietärer sogenannter MirrorBit-Technologie. Die MirrorBit-Zelle unterscheidet sich wesentlich von einer Floating-Gate-Zelle, weil sie die Speicherkapazität verdoppelt, indem sie zwei physikalisch individuelle Ladungen auf gegenüberliegenden Seiten einer Speicherzelle abspeichert. Im Gegensatz zu einer Standard-Floating-Gate-Zelle, die ein Floating-Gate aus leitfähigem Polysilizium zur Ladungsspeicherung verwendet, nutzt die MirrorBit-Zelle ein nichtleitendes Nitrid-Speichermedium, um zu verhindern, dass die individuellen Ladungen zusammenfließen und sich innerhalb des Speichermediums ausgleichen. Aus diesem Grund ist bei der MirrorBit-Technologie keine Nutzung eines Floating-Gates mehr nötig. Damit wird die Zuverlässigkeit verbessert, während die Anzahl der Prozessschritte sinkt.

Spanisions neueste, MirrorBit-Quad genannte Technologie, verdoppelt die Speicherkapazität von MirrorBit nochmals, indem auch weiterhin Ladungen in jeder der beiden Speicherregionen abgelegt werden – aber nun besteht zusätzlich die Möglichkeit, unterschiedliche Ladungsmengen oder Ladungszustände in jeder der beiden Regionen zu speichern. Durch das Ablegen von vier unterschiedlichen Ladungsmengen in jeder Region speichert die Zelle jetzt 4 x 4 = 16 unterschiedliche Ladungskombinationen, was vier Bit pro Zelle entspricht.

Die GL-S-Familie ist im Markt extrem erfolgreich, u.a. bei Automotive- und Industrie-Anwendungen sowie im Telekommunikationsbereich.