Richardson RFPD / Microsemi Referenzdesign für SiC-MOSFET-Treiber

Die Referenz-Treiberlösung liefert einen Spitzenausgangsstrom von bis zu 30 A.
Die Referenz-Treiberlösung liefert einen Spitzenausgangsstrom von bis zu 30 A.

Richardson RFPD hat ein neues Dual-SiC-MOSFET-Treiber-Referenzdesign von Microsemi im Programm. Der Vorteil des Referenzdesigns: Es adressiert verschiedene Topologien.

Die Referenz-Treiberlösung MSCSICMDD/REF1 soll eine verlässliche Möglichkeit bieten, Siliziumcarbid-MOSFETs in verschiedenen Topologien zu evaluieren.

Das Evaluierungs-Board benötigt eine 24-V-Spannungsversorgung und ist dafür optimiert, SiC-Bausteine bei hoher Geschwindigkeit mit Entsättigungsschutz zu treiben.
Das Design des Boards kann abhängig von den individuellen Systemanforderungen weiter vereinfacht werden.

Zu den Merkmalen des Referenzdesigns von Microsemi zählen:

  • konfigurierbare Gate-Treiber Spannung von -5 bis +20 V am Ausgang
  • galvanische Isolation von mehr als 2000 V bei beiden Gate-Treibern
  • jeweils bis zu 6 W Gate-Treiber-Leistung (zweimal), 8 W mit Modifizierung
  • Spitzenausgangsstrom bis 30 A
  • maximale Schaltfrequenz von mehr als 400 kHz
  • Kurzschlussschutz, programmierbarer Totzeitschutz, Fehlersignal, UVLO-Schutz

Neben dem Board bietet Richardson RFPD auch Design-Unterstützung an.