Niederspannungs-Serie erweitert Neue 40- und 45-V-N-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Ganze 14 nue MOSFETs gehören nun zur Serie U-MOS IX-H.
Ganze 14 neue MOSFETs gehören nun zur Serie U-MOS IX-H.

Toshiba hat seine Niederspannungs-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Serie U-MOS IX-H um neue 40-V- und 45-V-Typen erweitert, die sich durch einen besonders niedrigen On-Widerstand sowie eine hohe Schaltgeschwindigkeit auszeichnen.

Die neun 40-V- und die fünf 45-V-MOSFETs, die Toshiba neu vorstellt, sind für Anwendungen in der Industrie und in der Konsumelektronik entwickelt. Zu den Zielapplikationen zählen beispielsweise DC/DC-Wandler mit hohem Wirkungsgrad sowie AC/DC-Wandler, Netzteile und Motorantriebe mit hoher Effizienz.

Die Bausteine basieren auf der aktuellen Generation des Niederspannung-Trench-Struktur-U-MOS-IX-H-Prozesses von Toshiba. Je nach Version liegt der Maximale On-Widerstand bei 10 V Gate-Spannung zwischen 0,8 mΩ und 7,5 mΩ.

Durch den verwendeten Prozess konnte die Gütezahl, also das Produkt aus On-Widerstand und Gate-Schaltladung, auf ein Niveau gehoben werden, das die Gütezahl bisheriger Toshiba-Produkte übertrifft. Durch die Reduzierung der Ausgangsladung werden Leistungseinbußen vermindert; dies kann zu einem höheren Systemwirkungsgrad beitragen.

Die in den neuen MOSFETs verwendeten Zellstrukturen sin darauf optimiert, Spannungsspitzen und Ringing während des Schaltens zu unterdrücken. Dadurch lassen sich die elektromagnetischen Interferenzen im System verbessern.

Die MOSFETs werden unter anderem in SOP-Advance-Gehäusen mit 5 mm x 6 mm Grundfläche und TSON-Advance-Gehäusen mit 3 mm x 3 mm Kantenlänge ausgeliefert. Alle neuen Bausteine unterstützen die Ansteuerung mit 4,5-V-Logikpegel.