600-V-Superjunction-MOSFET Geringe Durchlass- und Schaltverluste

Der erste MOSFET der vierten E-Serie-Generation ist ein 600-V-Baustein im TO-220AB-Gehäuse.
Der erste MOSFET der vierten E-Serie-Generation ist ein 600-V-Baustein im TO-220AB-Gehäuse.

Mit dem n-Kanal-Baustein SiHP065N60E präsentiert Vishay den ersten 600-V-Leistungs-MOSFERT der vierten Generation der E-Serie.

Der neue MOSFET der Marke Vishay Siliconix, der auf der aktuellen Superjunction-Technologie der E-Serie basiert, weist einen um 30 % geringeren On-Widerstand und eine um 44 % geringere Gate-Ladung auf als die bisherigen 600-V-MOSFETs der E-Serie.

So liegt bei 10 V Gate-Spannung der typische On-Widerstand bei nur 0,057 Ω und der maximale ON-Widerstand bei 0,065 Ω. Die Gate-Ladung wird mit 49 nC angegeben.

Der Baustein im TO-220AB-Gehäuse  zeichnet sich darüber hinaus durch sein besonders geringes Produkt aus Gate-Ladung und On-Widerstand aus; dieses beträgt 2,8 Ω∙nC (typisch).

Durch die geringen Durchlass- und Schaltverluste erlaubt der 600-V-MOSFET die Realisierung energieeffizienter Leistungsfaktorkorrektur-Schaltungen und steilflankig schaltender DC/DC-Wandlerstufen von Telekom-, industriellen und gewerblichen Stromversorgungssystemen.