Strahlungsharte MOSFETs Für Weltraum-Anwendungen

Für seine neuen 100-V-/35-A-MOSFETs verwendet IR HiRel die Technologieplattform N-channel R9.
Für seine neuen 100-V-/35-A-MOSFETs verwendet IR HiRel die Technologieplattform N-channel R9.

IR HiRel, ein Tochterunternehmen von Infineon, hat die ersten auf der firmeneigenen Technologieplattform N-channel R9 basierenden, strahlungsharten MOSFETs vorgestellt.

Nach Herstellerangaben lässt sich mit Hilfe der R9-Technologie Größe, Gewicht und Leistung der Bausteine optimieren.

Die 100-V/35-A-MOSFETs IRHN97130 und IRHNJ9A3130 sind für missionskritische Anwendungen ausgelegt, die eine Lebensdauer von 15 Jahren und mehr erfordern sowie hohe Schaltgeschwindigkeiten benötigen.

Beide Bausteine sind immun gegen ionisierende Strahlung mit einer Gesamtdosis von 100 kRad bzw. 300 kRad (TID). Der typische On-Widerstand liegt bei 25 mΩ und ist damit um etwa 33 % niedriger als bei der Vorgängergeneration. In Kombination mit einem höheren Drainstrom von 35 A (gegenüber 22 A bei der Vorgängergeneration) erreichen die neuen Bausteine also eine höhere Leistungsdichte und geringere Leistungsverluste.

Die MOSFETs sind für einen LET (Linear Energy Transfer) von 90 MeV/(mg/cm²) ausgelegt. Sie sind in einem hermetisch dichten SMD-Keramikgehäuse mit Abmessungen von 10,28 mm x 7,64 mm x 3,12 mm untergebracht. Alternativ lassen sie sich auch ohne Gehäuse erwerben.