Neue 700-V-CoolMOS-Familie Für quasiresonante Flyback-Topologien

Neben der Auführung im IPAK-Gehäuse werden die MOSFETs auch in den Gehäusen DPAK und TO-220FP angeboten.
Neben der Auführung im IPAK-Gehäuse werden die MOSFETs auch in den Gehäusen DPAK und TO-220FP angeboten.

Infineon präsentiert die 700-V-MOSFET-Familie CoolMOS P7, die sowohl bestehende als auch künftige quasiresonante Flyback-Topologien adressiert.

Nach Angaben von Infineon lassen sich mit den neuen MOSFETs im Vergleich zu Wettbewerbsprodukte die Schaltverluste um 27 bis 50 % senken. Dies führt in flyback-basierten Ladegeräten zu einer Effizienzsteigerung um bis zu 3,9 %, während die Temperatur des Bauteils um bis zu 16 K geringer ist. Gegenüber der bisherigen 650-V-C6-Technologie ist der Wirkungsgrad um bis zu 2,4 % höher und die Temperatur um bis zu 12 K geringer.

Die 700-V-CoolMOS-P7-MOSFET s sind in den Gehäusen IPAK SL, DPAK und TO-220FP erhältlich. Je nach Ausführung beträgt der ON-Widerstand zwischen 360 mΩ und 1400 mΩ.

Eine integrierte Zenerdiode sorgt für eine höhere ESD-Robustheit bis zur HBM-Klasse 2. Die Gate-Source-Schwellenspannung liegt bei 3 V.

Die MOSFETs eignen sich beispielsweise für resonant schaltende Topologien wie sie in Ladegeräten für Smartphones und Tablets oder in Notebook-Adaptern zum Einsatz kommen. Auch die Verwendung in TV-Adaptern oder in Anwendungen in den Bereichen Beleuchtung, Audio und Aux ist denkbar.