GaN-Leistungshalbleiter Erste Produktmuster mit 150 V Durchlassspannung

Fujitsu liefert seit Juli 2013 erste Produktmuster des Galliumnitrid-Leistungshalbleiters MB51T008A aus. Der selbstsperrende GaN-Baustein auf Siliziumbasis hat eine Durchlassspannung von 150 V.
Fujitsu liefert seit Juli 2013 erste Produktmuster des Galliumnitrid-Leistungshalbleiters MB51T008A aus. Der selbstsperrende GaN-Baustein auf Siliziumbasis hat eine Durchlassspannung von 150 V.

Fujitsu liefert seit Juli 2013 erste Produktmuster des Galliumnitrid-Leistungshalbleiters MB51T008A aus. Der selbstsperrende GaN-Baustein auf Siliziumbasis hat eine Durchlassspannung von 150 V.

Zu den Eigenschaften des Bauelements zählen ein Einschaltwiderstand von 13 mΩ sowie eine Gate-Ladung von 16 nC. Laut Unternehmen sind für das als WLCSP-Package gefertigte GaN-Bauelement eine minimale parasitäre Induktivität sowie hochfrequente Schaltvorgänge charakteristisch. Der Baustein eignet sich als High-Side- und Low-Side-Schalter in Gleichspannungswandlern für Stromversorgungen u.a. für Telekommunikation, Industrieautomatisierung und Automotive-Anwendungen. Mit der Massenproduktion beginnt Fujitsu ab 2014.

Neben dem MB51T008A entwickelt das Unternehmen noch weitere Modelle mit Durchschlagspannungen von 30 V und 600 V.