GaN-Leistungshalbleiter Ein Schritt in Richtung Massenproduktion

Auf dem Weh zur Massenproduktion von GaN-on-Silicon-Wafern.
Auf dem Weg zur Massenproduktion von GaN-on-Silicon-Wafern.

STMicroelectronics cooperiert mit Macom um künftig GaN-on-Silicon-Wafer in Serie zu produzieren. Ziel sind niedrigere Kosten.

Leistungshalbleiter aus GaN, gefertigt auf GaN-on-Silicon-Wafern nach Macom-Lizenz, will STMicroelectronics künftig  herstellen. Dazu haben STMicroelectronics und Macom ein Abkommen zur Entwicklung der hierfür benötigten Wafer geschlossen, die STMicroelectronics künftig für Macom produzieren wird. Mit der Vereinbarung kann Macom seine Bezugsquellen erweitern und gleichzeitig die eigene Fertigungskapazität für GaN-Leistungshalbleiter sowie die Lieferbarkeit erhöhen.

Das Abkommen enthält auch eine Lizenzvereinbarung, die es STMicroelectronics gestattet, eigene GaN-on-Silicon-Halbleiter für HF-Anwendungen zu produzieren – jedoch nicht für die Märkte Mobiltelefone und Mobilfunk-Infrastruktur.

Höhere Produktionskapazität, niedrigere Kosten

Macom erhofft sich, dass die mit dem Abkommen vergrößerte Wafer-Fertigungskapazität zu niedrigeren Kosten für GaN-Leistungshalbleiter führt – auch um mit der bei HF-Leistungshalbleitern bisher dominierenden Silizium-LDMOS-Technik besser konkurrieren zu können.

Die Zusammenarbeit mit STMicroelectronics zur Produktion von GaN-on-Silicon-Wafern in einer CMOS-Wafer-Fab läuft bereits seit einigen Jahren. Erste Muster sollen noch in diesem Jahr produziert werden.

John Croteau, President and CEO von Macom: »Bisher hat MACOM die Vorzüge von GaN on Silicon mithilfe normaler Verbundhalbleiter-Fabriken verfeinert und nachgewiesen, wobei die HF-Leistungsfähigkeit und die Zuverlässigkeit der teuren Alternative GaN on SiC erreicht oder gar übertroffen wurde. Wir erwarten, dass die Zusammenarbeit mit ST die Stärken dieser GaN-Innovationen in einer Silizium-Lieferkette auszuspielen vermag, die letztendlich die anspruchsvollsten Kunden und Anwendungen bedienen kann.«

Marco Monti, Leiter des Bereichs Automotive- und diskrete Halbleiter bei STMicroelectronics. »So interessant der Ausbau der Chancen für bestehende HF-Anwendungen auch ist, reizt es uns doch noch mehr, unsere GaN-on-Silicon-Technik in neuen HF-Leistungsanwendungen einzusetzen. Ich meine hier insbesondere den Automobilbereich, wo es beispielsweise um Plasma-Zündungen für eine effizientere Verbrennung in konventionellen Motoren geht, sowie den Beleuchtungsbereich, wo an effizienteren und langlebigeren Beleuchtungssystemen gearbeitet wird.«