Forschungsprojekt »eRamp« Die Leistungselektronik in Deutschland und Europa stärken

Am Projekt eRamp arbeiteten 26 Partner aus sechs europäischen Ländern mit.
Am Projekt eRamp arbeiteten 26 Partner aus sechs europäischen Ländern mit.

Damit die Leistungselektronik im europäischen Raum auch zukünftig wettbewerbsfähig bleibt, wird intensiv geforscht – zum Beispiel im nun abgeschlossenen Projekt »eRamp«. Die gesamte Energie-Wertschöpfungskette wurde im Rahmen dieses Forschungsprojekts berücksichtigt.

Eines der aktuell wichtigsten europäischen Forschungsprojekte zum Thema Energieeffizienz wird Ende Mai abgeschlossen. Im Rahmen von »eRamp« haben 26 Partner aus sechs europäischen Ländern in den vergangenen drei Jahren neuartige Elektronik-Komponenten erforscht, mit denen sich Energie noch effizienter nutzen lassen soll. Im Mittelpunkt standen dabei die schnellere Einführung neuer Fertigungstechniken sowie Gehäusetechnologien für Energiespar-Chips.

Das Projekt eRamp deckt die gesamte Energie-Wertschöpfungskette ab, von der Erzeugung und Übertragung bis zum Verbrauch. Die von Infineon geleiteten Forschungsarbeiten in Wirtschaft und Wissenschaft sollen Deutschland und Europa als Kompetenzstandort für Leistungselektronik in Europa stärken.

»Die eRamp-Ergebnisse schaffen die Voraussetzung dafür, dass die Fertigung von Leistungselektronik in Europa wettbewerbsfähig bleibt«, sagte Dr. Oliver Pyper, Senior Manager, Forschungs-, Entwicklungs- und Innovationsprogramme bei Infineon in Dresden und Koordinator des Projekts. »Leistungselektronik garantiert eine immer effizientere Erzeugung, Übertragung und Nutzung elektrischer Energie. In diesem Bereich hat eRamp unser Know-how in Europa erheblich erweitert.«

Tests auf Praxistauglichkeit

Die Forschungsergebnisse wurden direkt in der Fertigungsumgebung auf ihre Praxistauglichkeit hin untersucht. Dazu nutzen die Forschungspartner bestehende Pilotlinien und Fertigungs-Know-how an mehreren Standorten:

  • in Dresden und Villach/Österreich: Leistungshalbleiter auf Basis von 300-mm-Wafern bei Infineon
  • in Regensburg: Gehäusetechnologie für Leistungshalbleiter bei Infineon
  • in Reutlingen: Leistungshalbleiter, Smart Power und Sensoren auf Basis von 200-mm-Wafern bei Bosch
  • in Unterpremstätten bei Graz/Österreich: 3D/TSV-Pilotlinie bei ams

Zur Bewertung des »Chip-Embedding«, einer neuen Gehäusetechnologie, entwickelten Infineon, Osram und Siemens gemeinsam Testaufbauten und Demonstratoren.

Das Projekt »eRamp – Excellence in Speed and Reliability for More than Moore Technologies« wurde finanziell unterstützt von der europäischen Förderinitiative ENIAC Joint Undertaking sowie vom deutschen Bundesministerium für Bildung und Forschung als dem größten nationalen Fördergeber. Finanzielle Unterstützung kam außerdem von Österreich, den Niederlanden, Rumänien, der Slowakischen Republik und dem Vereinigten Königreich.

Forschungsserie zur Stärkung der Leistungselektronik in Europa

eRamp ist Teil einer europäischen Forschungsserie zur Entwicklung von Leistungselektronik auf Basis von 300-mm-Wafern. Dazu gehören außerdem die Projekte EPT300, EPPL und PowerBase. In den vier Projekten arbeiten insgesamt etwa 100 Projektpartner daran, Europa durch Leistungselektronik wirtschaftlich und ökologisch zu stärken.

Im Jahr 2016 starteten weitere Vorhaben zur Stärkung der europäischen Mikroelektronik, darunter das Pilotlinienprojekt IoSense. Dabei handelt es sich um ein Sensorik-Projekt im Rahmen von ECSEL Joint Undertaking. Wie bei eRamp hat Infineon Dresden hier die Federführung.