ECP-Technologie: Basis für extrem kleine GaN-Leistungstransistoren

Die neue, von GaN Systems realisierte Leistungstransistor-Generation, hier das Modell GS66508B, fällt mit der ECP-Technologie von AT&S noch kompakter aus als die Vergängerserie.
Die von GaN Systems realisierte Leistungstransistor-Generation, hier das Modell GS66508B, fällt mit der ECP-Technologie von AT&S besonders kompakt aus.

Die Embedded Component Technology (ECP) von AT&S schafft die Voraussetzungen, um besonders kompakte Halbleitermodule realisieren zu können. Des Weiteren ermöglicht ECP eine integrierte EMI-Schirmung.

Wie die Produktbezeichnung Embedded Component Technology (ECP) schon deutlich macht, geht es um die Einbettung von Schaltungskomponenten. In einem elektrischen Modul werden also elektronische Bauelemente übereinander gestapelt. Zusätzlich wird die Leistungsfähigkeit dadurch gesteigert, dass man passive Bauteile möglichst nah bei den aktiven Halbleitern platziert.

Zu den Produkten, die ganz wesentlich von der ECP-Technologie aus dem Hause AT&S profitieren, gehören effiziente Leistungsmodule, integrierte Wireless-Module, Media Codecs und Applikationen, die eine hohe Signalintegrität erfordern – so zum Beispiel Sensoren oder Verstärker.

Von der Anwendung der ECP-Technologie profitiert u.a. die Firma GaN Systems, die leistungsfähige Gallium-Nitrid(GaN)-Leistungshalbleiter herstellt. In enger Zusammenarbeit mit AT&S konnte der Halbleiterhersteller eine neue Leistungstransistorgeneration auf den Markt bringen, bei der nicht nur die Abmessungen, sondern auch die Kosten im Vergleich zur Vorgängerserie reduziert werden konnten.

Die neuen GaN-Leistungstransistoren sind in einem innovativen GaNPX-Package untergebracht. Letzteres stellt eine Embedded-Gehäusetechnologie sehr nahe am Chipscale Level dar, die eine hohe Stromdichte, einen geringen Querschnitt, ein optimiertes thermisches Verhalten sowie eine sehr geringe Induktivität ohne Wirebond-Verbindungen bietet.

Das von GaN Systems angebotene Produkt-Portfolio beinhaltet 100-V- und 650-V-Bausteine mit Top-Side- und Bottom-Side-Kühlung. Die GaN-Leistungstransistoren können Ströme bis zu 90 A handhaben – bei Durchgangswiderständen RDS(on) bis auf ein Minimum von 7 mΩ.

Zu den wesentlichen Vorteilen von ECP gegenüber herkömmlichen IC-Gehäusen und der konventionellen Leiterplatten-Bestückung gehören die signifikante Miniaturisierung dank der höheren Integration sowie die verbesserte Zuverlässigkeit und das ausgezeichnete thermische Verhalten.