Im Portfolio von Richardson RFPD Aktuelle 1000-V-SiC-MOSFETs von Wolfspeed

Die 1000-V-MOSFETs sind im TO-263-7L-Gehäuse mit Kelvin-Source-Pin untergebracht.
Die 1000-V-MOSFETs sind im TO-263-7L-Gehäuse mit Kelvin-Source-Pin untergebracht.

Bei Richardson RFPD sind die beiden 1000-V-SiC-Leistungs-MOSFETs C3M0065100J und C3M0120100J von Wolfspeed erhältlich. Die auf der C3M-Technologie basierenden MOSFETs werden im TO-263-7L-Gehäuse mit Kelvin-Source-Pin geliefert.

Der C3M0065100J mit 65 mΩ On-Widerstand liefert einen kontinuierlichen Durchlassstrom von 35 A. Die Gesamt-Gate-Ladung wird mit 35 nC angegeben und die Ausgangskapazität mit 60 pF. Seine Sperrverzögerungszeit beträgt 14 ns.

Der C3M0120100J ist für einen kontinuierlichen Durchlassstrom bis 22 A ausgelegt. Er zeichnet sich durch einen On-Widerstand von 120 mΩ, eine Gesamt-Gate-Ladung von 21,5 nC, eine Ausgangskapazität von 40 pF sowie eine Sperrverzögerungszeit von 16 ns aus.

Geeignet sind die bei Richardson RFPD erhältlichen Wolfspeed-MOSFETs für verschiedenartige Anwendungen – von Applikationen im Bereich Erneuerbare Energien über Batterieladegeräte für Elektroautos bis hin zu Hochspannungs-DC/DC-Wandlern und Schaltnetzteilen.