Höhere Leistung und kompaktere Umrichter Acht neue HV-IGBT-Module

Die neuen HVIGBT-Module der X-Serie.
Die neuen HVIGBT-Module der X-Serie.

Mitsubishi hat acht weitere HV-IGBT-Module der X-Serie in den Spannungsklassen 3,3 kV; 4,5 kV und 6,5 kV entwickelt, mit denen die Realisierung von Systemen mit geringerer Baugröße und höherer Leistung möglich ist.

Sie sind für den Einsatz in kompakten Traktionsumrichtern mit hoher Leistung, in Gleichstrom-Übertragungs-Systemen, in Hochleistungs-Industrieantrieben sowie in anderen leistungselektronischen Systemen mit hohen Strömen und Spannungen vorgesehen.

Entwickelt wurden drei 3,3-kV-Module (1200 A und 1800 A), drei 4,5-kV-Module (900 A, 1350 A und 1500 A) sowie zwei 6,5-kV-Module (600 A und 900 A). Alle Module verwenden einen CSTBT-IGBT-Chip der 7. Generation und einen RFC-Dioden-Chip (Relaxed Field of Cathode). Im Vergleich zur H-Serie wird damit eine um bis zu 20 % geringere Verlustleistung und eine um etwa 33 % kleinere Modulgröße erzielt.

Eine maximale Sperrschichttemperatur von 150 °C während des Betriebs ist zulässig. Im Vergleich zu Komponenten mit geringeren zulässigen Sperrschichttemperaturen ist die Kühlung einfacher, und dadurch lässt sich letztendlich auch die Umrichterbaugröße reduzieren. 

Die Produktfreigabe der neuen Modul-Typen soll sequenziell ab September beginnen.
Die kommerzielle Nutzung der ersten HVIGBT-Module von Mitsubishi begann bereits 1997. Der erste Vertreter der aktuellen X-Serie war ein 6,5-kV/1000-A-Modul zum Einsatz in Umrichter-Systemen, der auf einem IGBT der 7-Generation basiert und eine Freilaufdiode mit RFC  integriert.