Hoher Drain-Dauerstrom 30-V-n-Kanal-TrenchFET für Mobilgeräte

Das PowerPAK-SC-70Gehäuse bringt deutliche Platzeinsparungen im Vergleich zum PowerPAK-1212-Gehäuse.
Das PowerPAK-SC-70Gehäuse bringt deutliche Platzeinsparungen im Vergleich zum PowerPAK-1212-Gehäuse.

Vishay hat einen 30-V-n-Kanal-TrenchFET der vierten Generation präsentiert, der die Leistungsdichte und Energieeffizienz in Applikationen wie Mobilgeräten, Konsumelektronik-Produkten und Stromversorgungen im Vergleich zu bisherigen Leistungs-MOSFETs erhöhen soll.

Der SiA468DJ der Marke Vishay Siliconix ist im 2 mm x 2 mm großen PowerPAK-SC-70-Gehäuse erhältlich. Zu den Besonderheiten des MOSFETs zählt ein geringer On-Widerstand von 8,4 mΩ bei 10 V Gate-Spannung bzw. 11,4 mΩ bei 4,5 V Gate-Spannung.

Der SiA468DJ ist für einen maximalen Drain-Dauerstrom von 37,8 A spezifiziert. Dieser Wert ist um 68 % höher als bei vergleichbaren Typen der vorhergehenden Generation.

Durch die höhere Strombelastbarkeit eignet sich der neue Baustein besonders für Anwendungen mit hohen Spitzenströmen. Aufgrund seiner niedrige Gate-Ladung und den geringen On-Widerstand ist der von Vishay Intertechnology vorgestellte MOSFET in diversen Spannungswandlertopologien verwendbar.