Samsungs Foundry-Geschäft 28-nm-Prozess reduziert Leistungsaufnahme um 35 Prozent

Der koreanische Halbleiterhersteller Samsung Electronics hat einen 28-nm-Low-Power-Prozess (LP) mit High-K/Metal-Gate-Technolgie qualifiziert, der gegenüber dem 45-nm-Prozess Energieeinsparungen von 35 % bringen soll.

Samsung hat noch einen weiteren LPH genannten Prozess angekündigt, der sogar noch energieeffizienter sein soll.

Laut Samsung bringt der LP-Prozess im Vergleich zu 45-nm-LP-Designs bei derselben Taktfrequenz eine um 35% geringere Leistungsaufnahme oder 30 % mehr Rechenleistung bei gleichen Leckströmen.

Der 28-nm-LHP-Prozess wurde für Mobilgeräte entwickelt, deren Applikationsprozessoren höher als 2 GHz getaktet werden. Er soll im Vergleich zum 45-nm-LP-Prozess sogar 60 % weniger Leistung im aktiven Modus oder eine um 55 % höhere Taktfrequenz bei gleichen Leckströmen liefern.

Unterstützt wird Design-Software von Synopsys, Cadence, Mentor und Magma. Desweiteren hat Samsung Logik, Speicher und Schnittstellen-IP von ARM und Synopsys lizensiert.

Es gibt bereits diverse silizium-validierte Kundendesigns, die in Samsungs Logik-Fab in Giheung (Südkorea) gefertigt werden.