OptiMOS-Portfolio erweitert 150-V-MOSFET reduziert Durchlasswiderstand und Sperr-Erholladung

Im SuperSO8-Gehäuse weist der MOSFET einen geringeren Durchlasswiderstand und eine niedrigere Sperr-Erholladung auf als Vergleichsprodukte.
Im SuperSO8-Gehäuse weist der MOSFET einen geringeren Durchlasswiderstand und eine niedrigere Sperr-Erholladung auf als Vergleichsprodukte.

Infineon stellt mit dem OptiMOS 5 150 V einen neuen MOSFET der 5. Generation seiner OptiMOS-Familie vor. Mit dem Baustein soll ein höherer Wirkungsgrad in Systemdesigns und Endanwendungen möglich sein.

Die neue 150-V-Produktklasse seinesr OptiMOS-Familie hat Infineon speziell für Hochleistungsanwendungen optimiert, die niedrige Gate-Ladeströme und eine hohe Leistungsdichte in einem robusten System erfordern. Der OptiMOS 5 150 V ist für den Einsatz in Niederspannungsantrieben, Synchrongleichrichtern in Telekommunikationsanwendungen, Wandlern im Brick-Format oder Leistungsoptimerern in Solaranwendungen vorgesehen.

Der MOSFET zeichnet sich durch seinen geringen Durchlasswiderstand aus. So ist sein Durchlasswiderstand in einem SuperSO8-Gehäuse um 25 % geriner als der Durchlasswiderstand der nächstbesten Alternative (nach Angaben von Infineon). Die Sperr-Erholladung ist im SuperSO8-Gehäuse sogar um 72 % niedriger als beim besten Vergleichsprodukt. Dies führt zu einer höheren Robustheit bei harten Kommutierungsvorgängen.

Außerdem wurde die OptiMOS-Familie in Bezug auf ihr EMI-Verhalten optimiert.