Für 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung 100-V-n-Kanal-Leistungs-MOSFETs von Toshiba

Die zwei Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch ihren geringen On-Widerstand aus.
Die zwei Leistungs-MOSFETs zeichnen sich durch ihren geringen On-Widerstand aus.

Seine U-MOS-VIII-H-Serie hat Toshiba um zwei n-Kanal Niederspannungs-Leistungs-MOSFETs erweitert. Die 100-V-Leistungsbausteine sind für den Einsatz in Anwendungen wie Schnellladegeräten, Schaltnetzteilen und DC/DC-Wandlern geeignet.

Die beiden 100-V-n-Kanal Leistungs-MOSFETs lassen sich für die 4,5-V-Logic-Level-Ansteuerung verwenden. Dadurch kann der Controller-IC pufferlos angesteuert werden, und der Energiebedarf wird kleiner.

Der MOSFET vom Typ TPH6R30ANL ist für Vorwärtsströme bis 45 A und ausgelegt zund zeichnet sich durch seinen geringen Durchlasswiderstand RDS(ON) ab 6,3 mΩ aus. Beim TPH4R10ANL liegen diese Werte bei 70 A und 4,1 mΩ. Lieferbar sind die Halbleiterbauelemente im Standardgehäuse SOP-Advance mit 5 mm x 6 mm Grundfläche.

Die beiden neuen MOSFETs werden im Niederspannungs-Trench-Prozess von Toshiba gefertigt, der einen geringen Durchlasswiderstand sowie ein schnelles Schaltverhalten möglich macht.