Gemeinsames Entwicklungsprojekt Infineon und Schweizer Electronic entwarfen Batterieschalter

Demonstrator eines leistungsstarken Batterieschalters
Demonstrator eines leistungsstarken Batterieschalters

Infineon Technologies und Schweizer Electronic entwickelten gemeinsam einen leistungsstarken Batterieschalter, der mit Eckdaten wie 400 A Dauerstrom und 7.200 A Pulsstrom aufwarten kann.

Dieser Batterieschalter demonstriert, wie auf kleinstem Bauraum komplette Batteriekreise oder Teilnetze elektronisch geschaltet werden können, und zwar mit Eckdaten wie 400 A Dauerstrom und 7.200 A Pulsstrom.
Ermöglicht wird dies zum einen durch die neueste MOSFET-Generation von Infineon Technologies AG mit dem TO-Leadless-Gehäuse in Kombination mit der 40-V-OptiMOS-Halbleitertechnologie, zum anderen durch die Inlay-Leiterplattentechnologie der Schweizer Electronic AG mit 2 mm dicken Kupfer-Inlays für maximale Stromtragfähigkeit und Entwärmung. Durch ausgereifte Aufbautechniken kann der additive thermische Widerstand innerhalb der Leiterplatte auf < 0,1 K/W gesenkt werden. Der Durchlasswiderstand beträgt 29 μOhm, so dass sich von Klemme zu Klemme insgesamt ein Durchlasswiderstand von 113 μOhm(!) ergibt. Somit leisten die genannten Parameter einen hohen Beitrag zur Wärmeabfuhr und damit zur effektiven Kühlung der Halbleiter.