Das war die EMLC 2017 Extrem-UV steht vor dem Durchbruch

Neueste Entwicklungen in der EUV-Lithografie und Nanoimprint-Lithografienverfahren.

Die aktuellen Entwicklungen in der Maskentechnologie waren Thema der diesjährigen EMLC. Insbesondere die jüngsten Fortschritte in der EUV-Lithografie und bei Nanoimprint-Lithografieverfahren wurden diskutiert.

Vom 26. bis 28. Juni 2017 fand die „European Mask and Lithography Conference“ (EMLC) bereits zum 33. Mal statt. Zu der internationalen GMM-Fachtagung versammelten sich rund 150 Teilnehmer aus elf Ländern im Hotel Hilton in Dresden. 32 Vorträge und 15 Posterpräsentationen gaben einen umfassenden Einblick zum Stand der Technik auf dem Gebiet der Maskenherstellung und Lithografie. Als Chairman fungierte erneut Dr. Uwe Behringer, Geschäftsführer der Unternehmensberatung UBC Microelectronics.

Endlich Erfolge sichtbar

In seiner Keynote berichtete James Wiley vom Lithografiesystem-Anbieter ASML, dass Extrem-UV nun endlich nach 30 Jahren Entwicklungsarbeit in ersten Anwendungen eingesetzt wird. Wiley zufolge wurden weltweit bisher 14 Belichtungsmaschinen des Typs NXE installiert. Mehr als 800.000 Wafer seien mittels EUV bereits beim Kunden belichtet worden. Die Tendenz: stark steigend.

Führend sei zurzeit die Belichtungsmaschine NXE 3400 B, die laut Hersteller 104 Wafer pro Stunde bewältigt. Ziel von ASML ist es, bis zum Jahresende 125 Wafer pro Stunde zu schaffen, was der Fertigungsgeschwindigkeit der Wafer-Herstellung in der klassischen Lichtoptik entspricht. Geeignet sind die Maschinen des Typs NXE 3400 B für die Belichtung von Grafikchips oder Prozessoren in 7-nm-FinFET-Technik, wie sie bei den großen (Auftrags-)Fertigern Intel, Globalfoundries, Samsung und TSMC geplant sind. Prognosen besagen, dass Extrem-UV circa im Jahre 2021 im großen Maßstab eingeführt werden wird.

Defektraten verringern

Die Dimensionen einer Belichtungsmaschine sind gewaltig. Angaben von ASML zufolge bringt ein einzelnes EUV-System insgesamt 180 t auf die Waage. Die Anlieferung beim Kunden erfolgt in 40 Containern, die auf 20 Lastwagen oder drei Flugzeuge verteilt waren. Der Preis pro Maschine soll bei etwa 100 Millionen US-Dollar liegen.

Von großer Bedeutung für den Durchbruch der EUV-Lithografie ist, dass es inzwischen gelungen ist, die Defektrate der Masken erheblich zu verringern: Innerhalb von vier Jahren konnte die Defektrate von EUV-Masken auf fast Null gesenkt werden. Daneben haben auch die Fortschritte in der Lasertechnik erheblichen Einfluss auf den zunehmenden Erfolg der EUV-Lithografie.