Infineon Forschungsprojekt "ESiP" erfolgreich abgeschlossen

Das Projekt zur Erforschung und Entwicklung von hochintegrierten System-in-Package-Lösungen "ESiP" ist erfolgreich abgeschlossen. Die Projektpartner - u.a. Infineon, Siemens, Feinmetall, Cascade Microtech oder Fraunhofer - ermöglichen es, mikroelektronische Systeme in Fahrzeugen, aber auch Industrie- und Kommunikationselektronik weiter zu miniaturisieren.

Mit ESiP wurden neue Technologien zur Verbindung der Chips in SiP-Gehäusen und zu deren Fertigung sowie Verfahren für die Zuverlässigkeitsmessung und Methoden und Geräte für Fehleranalyse und Test entwickelt. Es wurden Basistechnologien erarbeitet, die in einem SiP-Gehäuse die Integration verschiedener Chips auf kleinem Raum ermöglichen, beispielsweise von kundenspezifischen Prozessoren moderner CMOS-Technologien, von Leuchtdioden und Spannungsreglern, von MEMS- und Sensorbausteinen sowie von passiven Bausteinen wie miniaturisierten Kondensatoren oder Induktivitäten. Die ESiP-Ergebnisse ermöglichen in zukünftigen mikroelektronischen Systemen mehr Funktionen und sind dabei deutlich kleiner und zuverlässiger.Diese kompakten SiP-Lösungen kommen dann beispielsweise in Elektrofahrzeugen zum Einsatz.

Darüber hinaus untersuchten die Forschungspartner auch Materialien für Aufbauten von SiP-Lösungen. So ließen sich Machbarkeit und Zuverlässigkeit der neuen Fertigungsprozesse und Materialien mit mehr als 20 Testaufbauten belegen. Außerdem bestätigte sich im Zuge der Forschungsarbeiten, dass heute übliche Testverfahren bei zukünftigen SiP-Lösungen nicht mehr ausreichend sind. Deshalb wurden im Projekt neue Testabläufe, Teststationen („probe stations“) und Testadapter („probe adapters“) für 3D-SiP erarbeitet.

„Die erfolgreiche ESiP-Forschungsarbeit stärkt Europas Position bei der Entwicklung und Fertigung miniaturisierter mikroelektronischer Systeme“, ist sich Dr. Klaus Pressel, Projektleiter von ESiP und bei Infineon für internationale Kooperationen bei Assembly- und Packaging-Lösungen zuständig, absolut sicher.