Vishay Silizium-PIN-Fotodioden für Automotive-Applikationen

Die Fotodioden VEMD6010X01 und VEMD6110X01 von Vishay.
Die Fotodioden VEMD6010X01 und VEMD6110X01 von Vishay.

Vishay Intertechnology hat sein Portfolio an Optoelektronik-Bauteilen um zwei schnelle, für Automobil-Anwendungen vorgesehene Silizium-PIN-Fotodioden im 4 mm x 2 mm x 1,05 mm großen 1206-SMT-Gehäuse erweitert.

Die Fotodioden VEMD6010X01 und VEMD6110X01 von Vishay haben eine lichtempfindliche Fläche von 0,85 mm², liefern einen Fotostrom von 9,5 µA und weisen einen Dunkelstrom von 1 nA auf. Das für die Erkennung von Licht im sichtbaren und nahen Infrarot-Wellenlängenbereich vorgesehene Modell VEMD6010X01 besitzt ein transparentes Epoxidgehäuse und hat einen spektralen Empfindlichkeitsbereich von 450 bis 1100 nm. Das für Infrarot-Anwendungen im Wellenlängenbereich von 750 bis 1050 nm vorgesehene Modell VEMD6110X01 besitzt ein dunkles Gehäuse, das als Tageslichtfilter wirkt, und ist für den Wellenlängenbereich von Infrarotsendern (830 bis 950 nm) ausgelegt.

Beide Komponenten zeichnen sich durch kurze Ansprechzeiten aus, bieten einen Halbwertswinkel von ±60° und sind für einen Temperaturbereich von -40 bis +110°C spezifiziert; das Empfindlichkeitsmaximum liegt bei 900 nm bzw. 950 nm.

Das für die Erkennung von Licht im sichtbaren und nahen Infrarot-Wellenlängenbereich vorgesehene Modell VEMD6010X01 besitzt ein transparentes Epoxidgehäuse und hat einen weiten spektralen Empfindlichkeitsbereich von 450 nm bis 1100 nm. Das für Infrarot-Anwen-dungen im Wellenlängenbereich von 750 nm bis 1050 nm vorgesehene Modell VEMD6110X01 besitzt ein dunkles Gehäuse, das als Tageslichtfilter wirkt, und ist für den Wellenlängenbereich von Infrarotsendern (830 nm bis 950 nm) optimiert.
Die Photodioden VEMD6010X01 und VEMD6110X01 zeichnen sich durch kurze Ansprechzeiten aus, bieten einen Halbwertswinkel von ±60° und sind für den weiten Temperaturbereich von -40°C bis +110°C spezifiziert; das Empfindlichkeitsmaximum liegt bei 900 nm bzw. 950 nm.