Diode für schnelles Schalten Neue Generation CoolSiC Schottky-Dioden 650 V von Infineon

Die CoolSiC Schottky Diode 650 V G6 von Infineon.

Infineon präsentiert die sechste Generation der CoolSiC Dioden, die sich durch Zuverlässigkeit, Qualität und Effizienz auszeichnet. Die CoolSiC G6 Dioden eignen sich für die Spannungsklassen 600 V und 650 V, bei geringerem Kühlungsbedarf, erhöhter Systemzuverlässigkeit und schnellem Schalten.

Infineon stellt die CoolSiC Schottky Diode 650 V G6 vor. Die neue Entwicklung innerhalb der CoolSiC Diodenfamilie basiert auf den Merkmalen der fünften Generation, die sich durch Zuverlässigkeit, Qualität und Effizienz auszeichnet. Die CoolSiC G6 Dioden eignen sich insbesondere für die CoolMOS 7 Familien der Spannungsklassen 600 V und 650 V und zielen auf künftige Anwendungen in den Bereichen Server-, PC- und Telekom-Stromversorgungen sowie Photovoltaik-Wechselrichter.

Die CoolSiC Schottky Diode 650 V G6 verfügt über einige Neuerungen:

  • Neues Layout
  • Neue Zellstruktur
  • Proprietäres Schottky-Metallsystem

Dadurch erreicht die Diode eine Durchlassspannung (VF) von 1,25 V und eine um 17 Prozent geringere Kennzahl für »kapazitive Ladung (Qc) x Durchlassspannung« im Vergleich zur Vorgängergeneration. Aufgrund der besonderen Eigenschaften des Siliziumkarbids schaltet die Diode temperaturunabhängig und weist keine Sperr-Erholladung auf.

Das Design des Bausteins bietet einen verbesserten Wirkungsgrad bei gleichzeitig erhöhter Leistungsdichte. Die CoolSiC Schottky Diode 650 V G6 sorgt für einen reduzierten Kühlungsbedarf, erhöhte Systemzuverlässigkeit und schnelles Schalten.

Die CoolSiC Schottky Diode 650 V G6 ist verfügbar.