Renesas MOSFETs für maximale Ströme von bis zu 75 A

Renesas Electronics hat sieben neue, in einem platzsparenden 8-pin-HSON-Gehäuse untergebrachte n-Kanal- und p-Kanal-Leistungs-MOSFETs vorgestellt, die Ströme von bis zu 75 A schalten können.

Die nach Typ für Durchbruchspannungen von 40, 60 oder -30 V ausgelegten Bausteine sind für Kanaltemperaturen von bis zu 175 °C spezifiziert und nach AEC-Q101 qualifiziert. Sie zeichnen sich durch einen niedrigen thermischen Widerstand zwischen Kanal und Gehäuse aus; dieser beträgt beim Baustein NP75N04YUG z.B. 1,09 K/W.

Die Leistungs-MOSFETs der NP-Serie eignen sich für den Einsatz in Applikationen mit hohen Umgebungstemperaturen, wie etwa die Steuerung einer Direkteinspritzung im Motorraum, die Kontrolle elektrischer Motorpumpen, zur Steuerung von Magnetventilen oder als Schutz gegen verpolte Batterieverbindungen.

Der Vertrieb der neuen Leistungs-MOSFETs erfolgt über die Firma MSC, dort sind auch Muster der Bausteine erhältlich.