Toshiba Electronics Europe Leistungs-MOSFETs im verbesserten DPAK+-Gehäuse

Die neuen robusten Leistungs-MOSFETs von Toshiba werden in einem verbesserten DPAK+-Gehäuse verpackt und bieten dadurch mehr Zuverlässigkeit sowie eine höhere Leistungsfähigkeit.

Die MOSFETs werden im neuesten Trench-MOS-Prozess gefertigt und eignen sich speziell für Automobilanwendungen, wie z.B. Schaltreglern, DC/DC-Wandlern und Antriebssteuerungen.

Das DPAK+ Gehäuse weist den gleichen Formfaktor wie ein herkömmliches DPAK-Gehäuse auf und ist dazu anschlusskompatibel. Es besitzt einen geringeren Durchlasswiderstand und weniger Wärmeverluste, was im Vergleich zu herkömmlichen DPAK-Gehäusen die Effizienz, die Stromweiterleitung und die Zuverlässigkeit erhöht.

Möglich wird dies dadurch, dass die internen Aluminium-Bonddrähte zwischen dem MOSFET-Die und den Gehäuseanschlüssen durch breitere Kupferklemmen ersetzt wurden. Der Klemmmechanismus sorgt für eine zuverlässige, feste mechanische Verbindung, die Lastwechselfestigkeit sowie mechanischen Stößen und Vibrationen standhält. Die größere Querschnittsfläche und die elektrisch leitfähigere Verbindung minimieren die durch Gehäuseverluste erzeugte Wärme und verringern die Gehäuse-Induktivität.

Die MOSFET-Familie umfasst elf n-Kanal-Bausteine mit den maximalen Nennspannungen 40, 60 und 100 V sowie zehn p-Kanal-Bausteinen mit Nennspannungen von -40 und -60 V. Die Nennströme reichen je nach gewähltem Baustein von ±8 bis ±80 A. Alle MOSFETs sind für Kanaltemperaturen bis zu 175 °C ausgelegt.