Leistungs-MOSFETs für Antriebssteuerungen

Toshiba hat eine Reihe neuer Leistungs-MOSFETs für den Einsatz in Motoren für Lüfter, Pumpen und anderen Automotive-Antriebssteuerungen entwickelt, die auf der U-MOS-Trench-Halbleitertechnologie basieren.

Die Bausteine verfügen über eine maximale Nennspannung von 60 V und einen maximalen Nennstrom von 150 A. Dank Toshibas U-MOS-Trench-Halbleitertechnologie weisen sie einen Durchlasswiderstand von nur 1,7 mW und Eingangskapazitäten bis hinab auf 4500 pF auf. Daher bieten die MOSFETs laut Hersteller die branchenweit kleinste [RDS(ON) x Gate-Ladung (Qg)]-Güte, was eine sehr hohe Schaltgeschwindigkeit gewährleistet.

Die Leistungs-MOSFETs leifert Toshiba im TO220SM(W)-Gehäuse aus, das mit Kupferanschlüssen und einen breiten Source-Anschluss bestückt ist, um den RDS(ON) und die Gehäuse-Induktivität gering zu halten, den Wärmewiderstand zu reduzieren und eine hohe Strombelastbarkeit zu gewährleisten. Das Gehäuse ist nach AEC-Q101 bei einer Kanaltemperatur von 175 °C qualifiziert. Mit seiner Bauhöhe von nur 3,7 mm ist es außerdem 21 Prozent dünner als TO-220SM-Gehäuse.
 
Derzeit bietet Toshiba fünf Varianten der Angebot MOSFETs mit den entsprechenden Strom- und Spannungswerten an:

  • TJ120F06J3 (-60 V/-120 A)
  • TK100F04K3 (40 V/100 A)
  • TK150F04K3 (40 V/150 A)
  • TK100F06K3 (60 V/100 A)
  • TK130F06K3 (60 V/130 A)

Die RDS(ON)-Werte liegen im Bereich von 1,7 bis 5,5 mW; die Ciss- und Qg-Werte im Bereich 4500 pF und 98 nC bis 11500 pF und 258 nC.