Leistungs-MOSFET: Neues Gehäuse für besseren Schutz

Da der Bauraum im Automobil für zahlreiche Anwendungen sehr begrenzt ist, werden immer kleinere SMD-Gehäuse für Leistungs-MOSFETs benötigt. Diese Gehäuse müssen in Bezug auf ihre elektrischen und thermischen Eigenschaften sehr leistungsfähig und robust sein, um den extremen Anforderungen im Automobil gerecht zu werden.

Da der Bauraum im Automobil für zahlreiche Anwendungen sehr begrenzt ist, werden immer kleinere SMD-Gehäuse für Leistungs-MOSFETs benötigt. Diese Gehäuse müssen in Bezug auf ihre elektrischen und thermischen Eigenschaften sehr leistungsfähig und robust sein, um den extremen Anforderungen im Automobil gerecht zu werden.

Leistungs-MOSFETs in kleinen Gehäusen können dazu beitragen, die benötigte Leiterplattenfläche zu minimieren, und helfen so, Kosten zu sparen – falls sie in der Lage sind, die Systemanforderungen, etwa niedrige RDS(on)-Werte und thermische Leistungsfähigkeit, zu erfüllen.

Die SMD-Gehäuse DPAK (TO-252) und D2PAK (TO-263) sind seit Jahren verfügbar und ein De-facto-Standard für Leistungsanwendungen, insbesondere im Automobilbereich. Aufgrund des immer weiter reduzierten Bauraums sollen die Gehäuse allerdings möglichst durch kleinere Alternativen ersetzt werden. So können Bauteile, die bislang ein D2PAK-Gehäuse benötigten, inzwischen vielfach durch Bauteile in neuartigen DPAK-Varianten wie dem TO-252ZP von NEC Electronics (www.eu.necel.com) ersetzt werden. Dadurch lässt sich die für den Leistungsteil benötigte PCB-Fläche um mehr als 50 Prozent reduzieren (Bild 1). Neue Gehäuse wie das HSON-8 von NEC bieten eine weitere Möglichkeit zur Platzreduzierung. Bei einer Grundfläche von 5,2 × 6,0 mm² – gerade mal die Hälfte der Fläche des DPAK – weist das neue HSON-8-Gehäuse den gleichen Footprint wie das bekannte SOP-8-Gehäuse auf.