NXP Kompakte und robuste Leistung-MOSFETs

Power-MOSFET im kompakten LFPAK56-Gehäuse.
Power-MOSFET im kompakten LFPAK56-Gehäuse.

Von der Sitzverstellung bis zum Motormanagement – NXPs neue MOSFETs im LFPAK56-Gehäuse eignen sich für ein umfangreiches Spektrum von Automotive-Anwendungen.

Gleich 54 Power-SO8-MOSFETs für Anwendungen im Automobil-Bereich hat NXP Semiconductors vorgestellt. Die Bausteine im LFPAK56-Format sind verglichen mit dem DPAK-Gehäuse um über 55 % kleiner. Die neuen Leistungs-MOSFETs werden mit Nennspannungen von 30 V, 40 V, 60 V, 80 V und 100 V angeboten. Zum Portfolio gehören unter anderem die drei folgenden Bausteine:

BUK9Y3R0-40E: Mit seinem RDS(on) von nur 3,0 mΩ bei 40 V und seiner Eignung für Ströme bis zu 100 A lässt er sich als Treiber für elektromotorische Antriebe (Sitzverstellung, Fensterheber, Scheibenwischer, Pumpen, Lüfter) einsetzen.

BUK9Y59-60E: Mit einem RDS(on) von 59 mΩ bei 60 V, kleinen Abmessungen und hoher Robustheit ist dieser Baustein für Motormanagement-Systeme (z. B. Benzin- und Diesel-Direkteinspritzung) konzipiert, die meist mehrere Bauelemente pro System benötigen.

BUK9Y38-100E : Mit einem RDS(on)-Wert von 38 mΩ bei 100 V eignet sich das Bauelement für LED-Anwendungen im Auto. Hervorzuheben sind hier die geringe Gehäuseinduktivität und der kleine Footprint.

QFN-Gehäuse mit ihren integrierten Mikropins sind anfällig für mechanischen und elektrischen Stress auf der Leiterplatte. Dies kann zu Rissbildungen und Eindringen von Verunreinigungen an den Übergangsstellen führen. Dagegen sind die Gullwing-Anschlüsse des LFPAK-Gehäuses in der Lage, sowohl Wärmeausdehnungen als auch mechanische Spannungen infolge von Leiterplattenbiegungen aufzufangen. Zusätzlich sorgt der integrierte Kupferclip für niedrige elektrische und thermische Widerstände, geringe Induktivität und hohe Zuverlässigkeit.

Ebenso wie andere Trench-6-Automotive-MOSFET von NXP sind auch die neuen LFPAK56-MOSFETs gemäß AEC-Q101 qualifiziert. Sie haben erweiterte Lebensdauerprüfungen von über 1.600 Stunden bei 175 °C erfolgreich bestanden, was deutlich über die Q101-Anforderungen hinausgeht, und zeichnen sich durch sehr niedrige Defektraten aus.