SMD-Gehäuse Infineon stellt neues Gehäuse für HV-MOSFETs vor

Das neue ThinPAK-8x8-Gehäuse (rechts) im Vergleich zum D2PAK-Gehäuse (links).

Mit dem ThinPAK 8x8 stellt Infineon ein neues SMD-Gehäuse ohne Anschluss-Pins für Hochvolt-(HV)-Leistungs-MOSFETs vor, das nur 64 mm² auf der Leiterplatte benötigt und eine Höhe von nur einem Millimeter aufweist.

Damit braucht das ThinPAK-Gehäuse weniger Platz auf der Leiterplatte als ein alternatives D2PAK-Gehäuse mit 150 mm² und einer Höhe von 4,4 mm. Durch das kleinere Gehäuse, in Kombination mit den geringen parasitären Induktivitäten, sollen sich für Entwickler neue Wege eröffnen, um die Systemgrößen zu reduzieren. Insbesondere dort, wo die Leistungsdichte ein wichtiges Kriterium ist.

Das neue SMD-Gehäuse kann eine Chip-Größe wie für das Standard-TO220-Gehäuse aufnehmen und es verfügt über ein "exposed" Metall-Pad für die Ableitung der intern erzeugten Wärme. Neben Infineon wird auch ST Microelectronics MOSFETs mit diesem Gehäuse einführen, das bei Infineon ThinPAK 8x8 und bei ST PowerFLAT 8x8 HV heißt. Damit erhalten die Kunden die Sicherheit eines zweiten Lieferanten.

Das ThinPAK-8x8-Gehäuse zeichnet sich zudem durch eine geringe Quell-Induktivität von nur 2 nH (im Vergleich zu 6 nH beim D2PAK), eine separate Treiber-Quell-Verbindung (sauberes Gate-Signal) sowie eine mit dem D2PAK vergleichbare thermische Leistungsfähigkeit aus. Darüber hinaus ermöglicht es ein schnelleres Schalten von Leistungs-MOSFETs und eine einfachere Handhabung der elektromagnetischen Abstrahlung (EMI).

Zu Anfang wird Infineon drei 600-V-CoolMOS-Bausteine in dem neuen Gehäuse anbieten: 199 mΩ (IPL60R199CP), 299 mΩ (IPL60R299CP) und 385 mΩ (IPL60R385CP). Qualifikationsmuster des Gehäuses sind bereits verfügbar. Für Produktionsvolumina gelten die Standardbestellzeiten.