Leistungshalbleiter auf 300-Millimeter-Wafern Infineon beginnt mit der Volumenproduktion

Infineon hat nach eigenen Angaben als erstes Halbleiterunternehmen mit der Volumenproduktion von Leistungshalbleitern für Automobilanwendungen auf 300-Millimeter-Dünnwafern begonnen. Neue Produktfamilien sollen helfen, den CO2-Ausstoß von Fahrzeugen zu senken.

Infineons 300-Millimeter-Dünnwafertechnologie ist die Grundlage zur weiteren Verbesserung der Leistungsfähigkeit zukünftiger MOSFET-Generationen für Automobilanwendungen: Sie senkt die Leistungsverluste und ermöglicht kompakte MOSFET-Designs, die Systemeffizienz und Leistungsdichte erhöhen. Die 300-Millimeter-Wafer werden auf 60 µm (0,06 mm) gedünnt. Zum Vergleich: Ein Blatt Standard-Schreibpapier ist etwa 110 µm (0,11 mm) dünn. Im Vergleich zum 200-Millimeter-Wafer ist der Durchmesser eines 300-Millimeter-Wafers um 50 Prozent größer. Dadurch lassen sich auf einem 300-Millimeter-Wafer rund zweieinhalbmal so viele Chips fertigen.

Infineon fertigt die neuen Chips im österreichischen Villach. Bei den ersten Produkten handelt es sich um die OptiMOS-5-Familie mit 40-V-Varianten im sehr kleinen S308-Gehäuse (TSDSON-8) mit Abmessungen von nur 3,3 x 3,3 Millimetern. Verglichen mit ihrer Vorgängergeneration haben die 40-V-Varianten der OptiMOS 5-Produkte einen um 40 Prozent geringeren Einschaltwiderstand RDS(on) und weniger Leistungsverluste. Darüber hinaus ist ihre Figure of Merit RDS(on)xQ g um 35 Prozent geringer, wodurch sich ihr Schaltverhalten noch weiter verbessert. Damit bieten die OptiMOS 5 40V-Produkte eine hohe Leistungsdichte und Energieeffizienz für eine Vielzahl von BLDC- und Halbbrücken-Anwendungen im Fahrzeug. Dazu gehören z.B. elektrische Fensterheber, Schiebedach, Türverriegelung, Benzinpumpe sowie Magnetventile und schnell schaltende DC/DC-Wandler.

OptiMOS-5-40 V-Produkte sind im S308-Gehäuse (TSDSON-8) mit einem Einschaltwiderstand RDS(on) von 2,8 mOhm bis 8,4 mOhm verfügbar. Die Volumenfertigung ist angelaufen.