HSON-8-Gehäuse für PowerMOSFETs

NEC präsentiert mit HSON-8 eine neue Gehäusevariante für Low-Voltage-PowerMOSFETs für Anwendungen im Automobilbereich, die mit Maßen von 6,0 x 5,2 x 1,45 mm den gleichen Footprint wie ein SOP-8-Gehäuse aufweist.

Mit Hilfe des HSON-8-Gehäuses lässt sich die Montagefläche im Vergleich zum DPAK (TO-252) auf die Hälfte reduzieren, unter Beibehaltung der thermischen und elektrischen Eigenschaften des DPAKs. Die maximale Stromtragfähigkeit des Gehäuses beträgt 75 A, so dass im Zusammenspiel mit der UMOS-4-Trench-Technologie von NEC ein RDS(on) von 5,1 mΩ für N-Kanal-Bauteile mit VDSS = 40 V (NP75N04*UG) und 6,2 mΩ für P-Kanal-Bauteile (NP75P03*DG) mit VDSS = -30 V erreicht werden kann.

N- und P-Kanal-PowerMOSFETs mit Durchbruchsspannungen von –30 V, 40 V und 60 V befinden sich derzeit in der Entwicklung. Wie alle Mitglieder der NP-Serie sind die neuen Bauteile nach AEC-Q101 qualifiziert, unterstützen eine Kanaltemperatur bis zu 175 °C und erfüllen dank verzinnter Anschlüsse sämtliche Anforderungen hinsichtlich RoHS.

Das HSON-8-Gehäuse soll der wachsenden Nachfrage nach leistungsfähigen PowerMOSFETs mit kleinen Abmessungen für platzbegrenzte Anwendungen im Automobilbereich wie in ABS- und Einspritzsystemen nachkommen. Muster von PowerMOSFETs im neuen HSON-8-Gehäuse sind verfügbar, die Massenfertigung wird im Laufe des Jahres starten.