Leistungs-MOSFET Geringe Leitungsverluste

Leistungs-MOSFET TJ200F04M3L von Toshiba.
Leistungs-MOSFET TJ200F04M3L von Toshiba.

Toshiba Electronics hat einen neuen p-Kanal-MOSFET vorgestellt, der für Automotive-Anwendungen wie Verpolschutz und Motorsteuerung optimiert ist.

Der neue Leistungs-MOSFET TJ200F04M3L erzielt einen niedrigen Durchlasswiderstand, da der in Toshibas U-MOS VI Trench-Prozess gefertigte Chip über einen Kupferanschluss in einem TO-220SM-(W)-Gehäuse befestigt ist. Der Baustein verfügt über einen verbesserten Aufbau und sorgt so für geringere Leitungsverluste.

Die Kennwerte des TJ200F04M3L lauten: UDSS = -40 V, ID = -200 A und RDS(ON) max = 1,8 mΩ bei UGS = 10 V. Der Leistungs-MOSFET arbeitet bei einer maximalen Kanaltemperatur bis zu 175 °C. Er entspricht dem Standard AEC-Q101 der Automobilelektronik-Qualifizierung.