Für Eingangsspannungen zwischen 9 V und 13,2 V

Vishay präsentiert einen monolithisch integrierten 75 V Hochfrequenz-Halbbrücken-n-Kanal-MOSFET-Treiber, der einen externen Spitzenstrom bis 2 A aufnehmen und einen ebenso hohen Gate-Treiber-Strom liefern kann.

Er eignet sich insbesondere für automobile Anwendungen, die oft Spannungen bis 40 V oder 60 V erfordern. Typische Anwendungen sind Gasentladungslampen, Hochspannungs-Abwärtswandler, Push-Pull-Wandler, Voll- und Halbbrücken-Wandler, Vorwärtswandler mit aktiver Klemmschaltung, Stromversorgungen, Motorsteuerungen und Class-D-Audioverstärker in diversen Endprodukten.

Der Baustein akzeptiert Betriebsspannungen zwischen 9 V und 13,2 V und kann eine 1000-pF-Last mit einer typischen Anstiegs-/Abfallzeit von 10 ns treiben. Die Verzögerungs- und High-Low-Match-Zeiten betragen 6,5 ns und erlauben dadurch die für Multi-MHz-Schaltungen erforderlichen kurzen Signallaufzeiten. Eine integrierte 1,5-Ω-Bootstrap-Diode reduziert die Anzahl der erforderlichen externen Bauteile. Eine Unterspannungsschutzschaltung schaltet den Ausgang bei Unterspannung in den Low-Zustand; sobald die Eingangsspannung wieder innerhalb des normalen Bereichs liegt, wird der Ausgang automatisch wieder aktiviert.


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