MOSFETs Für einen niedrigen Einschaltwiderstand

Die AEC-Q100 qualifizierten MOSFETs von IR.

International Rectifier (IR) bringt seine erste, speziell für den Automotive-Einsatz qualifizierte MOSFET-Familie auf den Markt, die der Halbleiterspezialist für den Einsatz in Anwendungen entwickelt hat, die einen niedrigen Einschaltwiderstand benötigen.

Da die MOSFETs einen niedrigen Einschaltwiderstand gewährleisten, eignen sie sich für den Einsatz in Systemen, wie der elektrischen Servolenkung (EPS), integrierter Starter/Alternator-(ISA)-Pumpen- und Motorregler, DC/DC-Wandler, Batterieschalter sowie für andere große Lasten auf Verbrennungsmotor- und Hybrid-Fahrzeug-Plattformen.

Die neue MOSFET-Familie beruht auf IRs Gen-10.2-Technologie, liefern einen Einschaltwiderstand RDSon (max.) von nur 1,0 mΩ und sind über einen Spannungsbereich von 24 bis 100 V in einer Vielzahl von oberflächenmontierbaren (SMD-) und Durchsteck-Gehäusen lieferbar. Zudem weisen viele der Bausteine maximale Nennströme von bis 240 A in einem D2Pak-7P-Gehäuse oder von 195 A in einem D2Pak-Gehäuse auf.

Als Teil der Automotive-Quality-Initiative von IR, die sich Zero Defects zum Ziel gesetzt hat, werden die Bausteine dynamischen und statischen Part-Average-Tests unterworfen, kombiniert mit einer zu 100 Prozent automatisierten optischen Prüfung auf Wafer-Ebene. Die Qualifizierung nach AEC-Q101 setzt voraus, dass sich der RDSon nach 1000 Temperatur-Testzyklen um nicht mehr als 20 Prozent verändert. Die AU-Stückliste von IR hingegen erreichte im Zuge erweiterter Tests bei 5000 Temperaturzyklen sogar eine maximale Verschiebung des RDSon von weniger als 10 Prozent. Alle MOSFETs dieser Familie sind bleifrei und RoHS-konform.