NXP Semiconductors: Bipolartransistoren im LFPAK56-SMD-Kunststoffgehäuse für automobile Anwendungen

Vorteile des LFPAK-Gehäuses im Vergleich zum DPAK-Gehäuse.
Vorteile des LFPAK-Gehäuses im Vergleich zum DPAK-Gehäuse.

NXP Semiconductors hat Bipolartransistoren im flachen LFPAK56-SMD-Kunststoffgehäuse (SOT669, 5 x 6 x 1 mm) auf den Markt gebracht. Das Portfolio umfasst insgesamt sechs 60-V- und 100-V-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung und einem Kollektorstrom von bis zu 3 A sowie Spitzenströmen bis 8 A.

Die vorgestellten Transistortypen weisen laut Herstellerangaben eine maximale Verlustleistung (Ptot) von 3 W auf. Voraussetzung dafür sind der integrierte Kupferclip und die große Kühlfläche des LFPAK-Gehäuses, die maßgeblich zu einer Reduzierung der auftretenden elektrischen und thermischen Widerstände beitragen. Darüber hinaus kommt beim LFPAK-Gehäuse keinerlei Drahtbonden zum Einsatz. Vier der sechs LFPAK56-Bipolartransistoren von NXP sind AEC-Q101-qualifiziert und eignen sich für eine Vielzahl unterschiedlicher Automotive- und Industrie-Anwendungen mit Umgebungstemperaturen von bis zu 175 °C. Im Verlauf des Jahres wird dieses Portfolio durch leistungsfähige Doppeltransistoren im LFPAK56D-Gehäuse sowie LFPAK56-Hochstromvarianten mit 6, 10 und 15 A erweitert.