Infineon: Low-Noise-Amplifier für GPS-Anwendungen

Auf der Expo Comm Wireless in Japan hat Infineon einen Low-Noise-Amplifier (LNA) für GPS-Anwendungen mit sehr niedriger Rauschzahl angekündigt, der auch strengen Sicherheitsvorgaben entspricht.

Mobile GPS-Anwendungen müssen einerseits eine hohe Empfindlichkeit und andererseits weitgehende Immunität gegenüber Interferenzen durch die Mobilfunk-Signale zu bieten. So verlangt der Gesetzgeber etwa in den USA und Japan, dass Mobiltelefone aus Sicherheitsgründen und für Notrufe auch schwache GPS-Signale in Räumen oder in Tiefgaragen empfangen können. Der neue BGA715L7, ein hoch empfindlicher GPS-LNA mit sehr niedriger Rauschzahl und hoher Verstärkung, soll diese Anforderungen erfüllen. Darüber hinaus sorgt der BGA715L7 mit seiner geringen Leistungsaufnahme von 5,94 mW und 1,8 V Versorgungsspannung im Betrieb für lange Batterie-Lebensdauer.

GPS wird bei Mobiltelefonen zur Standard-Funktion werden. Nach Einschätzung von IMS Research soll dieses Marktsegment bis 2011 durchschnittlich um 33,7 Prozent jährlich wachsen. Voraussichtlich jedes dritte Mobiltelefon, das 2011 produziert wird, wird GPS unterstützen.

»Mit dem neuen BGA715L7 erweitert Infineon sein Spektrum an leistungsfähigen LNAs in kosteneffektiver SiGe:C-Technologie für GPS- und UMTS-Mobiltelefone sowie für mobile TV-, FM-Radio- und WLAN-Anwendungen«, sagte Michael Mauer, Senior Marketing Director, Discrete Semiconductors bei Infineon Technologies. »Mehr als 100 Millionen bisher ausgelieferter GPS-LNAs unterstreichen Infineons führende Position im GPS-Markt.«

Leistungsdaten des BGA715L7:

Dank Infineons SiGe:C-Technologie bietet der BGA715L7 mit 0,6 dB eine sehr niedrige Rauschzahl, die um 0,2 dB besser als die des nächstbesten Produkts mit SiGe-Technologie. Die Stromaufnahme beträgt nur 3 mA, was die Batterielebensdauer verlängert. Aufgrund des weiten Versorgungsspannungsbereichs von 1,5 V bis 3,6 V und der digitalen Steuerung von 1,0 V bis 3,6 V ist der BGA715L7 mit allen GPS-Chipsätzen kompatibel. Eine interne Bias-Schaltung sorgt bei Schwankungen der Temperatur und der Versorgungsspannung für konstante elektrische Eigenschaften. ESD-Schutz bis 1 kV HBM macht den Baustein robust gegenüber ESD-Ereignissen bei der Bestückung.
 
Die Serienfertigung des BGA715L7 beginnt im September 2008, Muster sind bereits verfügbar. Auch Evaluierungskits werden angeboten. Ab 10.000 Stück liegt der Preis bei 0,50 Dollar. Der BGA715L7 wird in einem TSLP7-1-Gehäuse mit 2 mm x 1,3 mm x 0,4 mm geliefert. Es ist anschlusskompatibel zum Vorgänger BGA615L7.