Wolfspeed | Cree Siliziumcarbid-MOSFET für Elektroautos

Der neue 900 V, 10 mΩ MOSFET ist als Chip mit der Teilenummer CPM3-0900-0010A verfügbar.
Der neue 900 V, 10 mΩ MOSFET von Wolfspeed ist unter der Teilenummer CPM3-0900-0010A verfügbar.

Der neue 900 V, 10 mΩ MOSFET von Wolfspeed verringert Umrichter-Verluste beim Antriebsstrang von Elektroautos um 78 Prozent. Er bietet Automobil-Herstellern neue Möglichkeiten im Hinblick auf Batterienutzung und Fahrzeugdesign.

Wolfspeed, ein Unternehmen von Cree, stellt einen neuen 900 V, 10 mΩ MOSFET vor. Er ist für eine Dauerbelastung von 196 A bei einer Gehäusetemperatur von 25 °C ausgelegt. Der MOSFET ermöglicht eine Verringerung der Umrichter-Verluste beim Antriebsstrang von Elektroautos um 78 Prozent auf Basis des kombinierten EPA Stadt/Autobahn-Laufleistungsstandards.

Der neue 900 V, 10 mΩ MOSFET ist als Chip mit der Teilenummer CPM3-0900-0010A verfügbar und wird zurzeit bei SemiDice angeboten. Wolfspeed wird das zugehörige diskrete Bauteil in einem 4L-TO247 Package (C3M0010090K) in den kommen Wochen in den Verkauf bringen.

Einer der prominentesten Anwender eines Full-SiC-400-A-Power-Moduls auf Basis des 900 V, 10 mΩ Chips ist die Ford Motor Company in Kooperation mit der US-amerikanischen Energiebehörde. Sie setzt das Modul von Wolfspeed in einer Version mit vier parallel geschalteten MOSFETs ein und erreicht damit einen Rds(ein) von 2,5 mΩ. Dadurch hat Wolfspeed das Potenzial des Chips gezeigt und eine weitere Modul Variante mit 800 A, 1,25 mΩ entwickelt.

»Die offizielle Markteinführung der 900 V, 10-mΩ-Lösung bietet elektrisch angetriebenen Fahrzeugen die Gelegenheit, fortan von SiC-basierten Komponenten in allen Bereichen der Leistungsumwandlung zu profitieren«, erklärt John Palmour, CTO von Wolfspeed. »Die konsequente Erweiterung unseres Gen3 MOSFET-Portfolios mit neuen Package-Optionen erschließt zahlreiche weitere Anwendungsmöglichkeiten – insbesondere hinsichtlich einer effizienteren Energienutzung bei Onboard- und Offboard-Ladegeräten und ab sofort auch beim Antriebsstrang von Elektrofahrzeugen.«

Der neue Chip wurde ausführlich für den kommerziellen Einsatz bei 175 °C getestet und bietet eine hohe Zuverlässigkeit auch in anspruchsvollen Umgebungen wie etwa im E-Automobilbau.

Umfassende technische Informationen zum neuen 900 V, 10 mΩ MOSFET finden Sie auf der hier.