Hella, GaN Systems und Kettering University Gemeinsame Entwickelung eines Ladegeräts für E-Autos

Das EV-Ladegerät von Hella und der Kettering University ist mit GS66516T Transistoren von GaN Systems ausgerüstet.
Das EV-Ladegerät von Hella und der Kettering University ist mit GS66516T Transistoren von GaN Systems ausgerüstet.

Hella hat zusammen mit GaN Systems und dem Bereich Ladetechnologie des Kettering University Advanced Power Electronics Lab einen Prototyp für ein Level-2-Ladegerät für Elektrofahrzeuge entwickelt.

Der Prototyp von Hella, GaN Systems und der Kettering University soll Wirkungsgrade von über 97 Prozent erzielen und eine Leistungsdichte von 2,6 kW/l aufweisen. Vor diesem Erfolg erreichten Level-2-Ladegeräte für Elektrofahrzeuge maximale Wirkungsgrade von 94 Prozent. Unter Verwendung der 60 A-, 650 V GS66516T-Schalter von GaN Systems in einer Zweistufenarchitektur konnte das Forschungsteam der Kettering University den »Wall-to-battery«-Wirkungsgrad um mehr als 3 Prozent über den zuvor erreichten Wert anheben.