Siliziumkarbid-Schottky-Dioden für 8 A und 10 A

STMicroelectronics stellt zwei neue Siliziumkarbid-Schottky-Dioden vor. Sie sind für einen Dauerstrom von 8 A bzw. 10 A ausgelegt, die Durchbruchspannung beträgt 600 V.

Ein Vorteil von SiC-Schottky-Dioden gegenüber Silizium-Dioden ist, dass aufgrund der niedrigen Sperrschichtkapazität keine nennenswerten Stromspitzen bei Polaritätswechsel entstehen. Bei der STPSC1006D liegt diese Kapazität bei 12 nC, bei der STPSC806D sind es 10 nC. Der Nennstrom der Dioden beträgt 10 A bzw. 8 A. Maximal halten die Dioden Spitzen von 40 A bzw. 30 A über einen Zeitraum von 10 ms aus.

Die maximale Sperrschichttemperatur ist mit 175 °C angegeben. Die maximal zulässige Stromänderung (di/dt) beträgt 200 A/µs bei 400 V, dem jeweiligen Nennstrom und einer Temperatur von 150 °C.

Der thermische Widerstand der STPSC806D liegt bei 2,4 °C/W, bei STPSC1006D sind es 2 °C/W. Der typische Spannungsabfall in Durchlassrichtung beträgt jeweils 1,4 V (bei 25 °C). Beide Dioden stecken in einem TO-220AC-Gehäuse.