Neue Generation von Siliziumkarbid-Schottky-Dioden

Infineon stellt die nunmehr dritte Generation seiner Siliziumkarbid-Schottky-Dioden »thinQ« vor. Maximal sind 1200 V Durchbruchspannung und 15 A Nennstrom möglich.

Die SiC-Dioden gibt es für Durchbruchspannungen von 600 V in den Varianten für 3, 4, 5, 6, 8, 9, 10 und 12 A. Die Dioden für 1200 V sind für Nennströme von 2, 5, 8, 10 und 15 A ausgelegt.

Nach eigenen Angaben konnte Infineon die Sperrschichtkapazität (QC) der SiC-Dioden um 40 Prozent senken. Dadurch verringern sich die Schaltverluste. Bei der IDD03SG60C für 600 V und 3 A beträgt diese Kapazität bei einer Temperatur von 130 °C zum Beispiel 3,2 nC. Bei der 12-A-Variante sind es 19 nC.

Maximal können die 3-A-Dioden Stromspitzen von 100 A über eine Zeit von maximal 10 µs aushalten. Bei der 12-A-Version sind es 430 A.

Die 600-V-Dioden befinden sich in einem TO-220- oder einem DPAK-Gehäuse, die 1200-V-Varianten in einem TO-220-Gehäuse.