BISS-Transistoren mit niedriger Sättigungsspannung

Eine besonders geringe Sättigungsspannung zeigen die neuen BISS-Transistoren (Breakthrough in Small Signal) von Philips Semiconductors (Vertrieb: Spoerle Electronic).

Während die 20-Volt-Versionen der Serie PBSS301ND/PD eine Sättigungsspannung von weniger als 270 mV bei 4 A und einen Sättigungswiderstand von 67 mOhm aufweisen, sind die 40-Volt-Varianten der Reihe PBSS302ND/PD mit einer Sättigungsspannung von unter 300 mV bei 4 A spezifiziert. Ihre Stromverstärkung bleibt auch bei starken Strömen erhalten. Die Bausteine sind für einen Kollektor-Dauerstrom von 4 A ausgelegt und vertragen Impulse (1 ms) bis 15 A. Untergebracht sind sie in SOT23-Gehäusen.