Gleichmann: Low-Voltage PowerMOSFETs von NEC

Kleine Footprints zeichnen die sieben von NEC Electronics entwickelten Low-Voltage PowerMOSFETs im 8p-VSOF- beziehungsweise Mini-HVSON-Package aus, die ab sofort das Vertriebsprogramm von Gleichmann Electronics erweitern.

Gleichmann Electronics präsentiert sieben Low-Voltage PowerMOSFETs im 8p-VSOF und Mini-HVSON-Gehäuse, die sich für Anwendungen in mobilen Geräten und DC-/DC-Wandlern eignen. Das Mini-HVSON-Gehäuse mit Abmessungen von 3,3 x 3,3 x 0,9 mm beansprucht, laut Anbieter, etwa ein Drittel der Montagefläche eines herkömmlichen SOP8-Gehäuses. Angeboten werden in dieser Variante zwei N-Kanal-Typen mit einem RDS(on)  von 7,3 mΩ (uPA2800T1L) bzw. 9,6 mΩ (uPA2801T1L) bei 30 VDSS und ein P-Kanal-PowerMOSFET mit einem RDS(on) von 13 mΩ bei -30 VDSS.

Die Low-Voltage PowerMOSFETs im 8p-VSOF-Gehäuse fallen mit Abmessungen von 2,8 x 2,9 x 0,8 mm noch kleiner aus. Neben den beiden N-Kanal-MOSFETs uPA2520 und uPA2521 mit 30 VDSS und  RDS(on)-Werten von 13,2 mΩ bzw. 16,5 mΩ beinhaltet diese Familie noch ein Bauteil mit zwei P-Kanälen (uPA2550) und den komplementären N-/P-Kanal-PowerMOSFET uPA2590. Muster der neuen NEC Low-Voltage PowerMOSFETs sind ab sofort bei Gleichmann Electronics verfügbar.