GaN-Leistungshalbleiter Transphorm lizenziert GaN-Patente von Furukawa Electric

Transphorm hat von Furukawa Electric eine alleinige weltweite Lizenz für deren umfangreiches Patentportfolio für Galliumnitrid-Leistungshalbleiter erhalten. Dieses umfasst etwa 40 US-amerikanische und 110 japanischen Patente. Umgekehrt wird Furukawa Minderheitseigner von Transphorm.

Nachdem Transphorm im August 2013 schon Bauteilpatente lizenziert hatte, und zwar von Cree, hat das Unternehmen wieder geistiges Eigentum eingekauft. Die Patentfamilie von Furukawa Electric umfasst verschiedene Aspekte zur Herstellung von GaN-Leistungshalbleitern sowie Materialien und Schaltungen, einschließlich der Schlüsselpatente für die GaN-auf-Silizium-Epitaxie. Der Deal erweitert das IP-Portfolio von Transphorm auf insgesamt über 300 US-Patente sowie über 650 weltweite Patente, einschließlich einer Kombination von intern entwickelten, erworbenen und lizenzierten Patenten. Transphorm erhält auch das Recht, die Patente von Furukawa weiterzulizenzieren. Als Teil der Vereinbarung tätigte Furukawa Electric ein Investment an Transphorm.

»Als starken Vertrauensbeweis hat Furukawa Electric ein bedeutendes Investment getätigt und erhält eine Minderheitsbeteiligung an Transphorm«, freut sich Fumihide Esaka, CEO von Transphorm. Und Takahide Kimura, Corporate Senior Vice President, New Business Development, Furukawa Electric ergänzt: »Furukawa Electric hat in den 1990 Jahren mit der GaN-Forschung begonnen und seither ein starkes Patentportfolio für GaN-Leistungsbauteile und -Materialien aufgehäuft. Als wir uns bemühten, den Wert dieses Portfolios zu erschließen sowie die Versorgung mit GaN-Produkten für unsere eigenen Anwendungen zu sichern, war Transphorm eine ideale Wahl. Zusätzlich ist Furukawa Electric auch bereit, mit Transphorm als strategischer Partner weiter auf technischer Ebene zusammenzuarbeiten, auch jenseits dieser Lizenz und des Investments.«